真空镀膜机

主体结构。全封闭框架结构，真空室φ500为前开门方式，机柜和主机为分体式。
        极限真空度。≤5×10－5Pa（空载、经充分烘烤除气并充干燥氮气），漏率：优于1x10-7Pa.l/S,压升率优于国家标准。    

真空配置。高速直联旋片泵一台，抽速大于8L/S，配置尾气处理装置。**高分子泵一台，抽速1200L/s。
        真空测量。两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。

        工件架系统。7工位2英寸行星工件盘，6个在圆周上，1个放置在工件盘中心，可用于共溅射，中心工位设置加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。工件盘由减速电机驱动。

        磁控溅射系统。配置3个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），安装真空室底部，向上溅射成膜；每只靶和基片件距离手动可调；靶内均通入冷却水冷却。

        电源 。2套直流电源； 1套5全固态射频电源；；一套200W直流偏压电源；
        充气系统。配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。

        电气控制系统。采用功能化模块设计，可选配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并**，能够根据工艺需求自动溅射。

  可选配置：在线膜厚监控系统；垂直溅射与共溅射兼容；基片烘烤温度较高至800摄氏度，满足部分材料的真空原位退火或气氛保护退火的需要；蒸发镀膜与磁控溅射兼容；干式无油洁净真空系统；在线离子轰击清洗；自动挡板和手动挡板；直流电源射频电源的组合形式。